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2017年学会発表

11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '17 (ALC '17) (12/3–8, 2017, Aqua Kauai Beach Resort, Kauai, Hawaii, USA)

A valence selective x-ray fluorescence holography study of an yttrium oxide thin film
Jens Ruediger Stellhorn, Shinya Hosokawa, Naohisa Happo, Hiroo Tajiri, Tomohiro Matsushita, Kenichi Kaminaga, Tomoteru Fukumura, Tetsuya Hasegawa, Kouichi Hayashi
N and O K-edge linearly polarized X-ray absorption near edge structure of Ta- based oxynitride thin films
Tetsuya Hasegawa, Daichi Oka, Fumihiko Matsui, Hideyuki Kamisaka, Tamio Oguchi, Takayuki Muro, Kouichi Hayashi, Yasushi Hirose

第11回物性科学領域横断研究会(東京大学物性研究所、11月11-18日)

複合アニオン化合物薄膜におけるアニオン配列制御とその評価
○長谷川哲也

第78回応用物理学会秋季学術講演会(福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、9月)

[6a-A202-8]原子間力顕微鏡を用いたSrFeO3のトポタクティック局所還元反応
〇田中 駿也1, 沓澤 大1, 廣瀬 靖1, 長谷川 哲也1
1.東大院理
[6p-C17-8]High mobility in amorphous ZnOxSy thin films
〇Yuting Zhu1, Takanori Yamazaki1, Yasushi Hirose1, 2, Shoichiro Nakao1, 2, Tetsuya Hasegawa1, 2
1.Univ. of Tokyo, 2.KAST
[6p-C23-9]スピネル型酸窒化物Fe3O4-xNyエピタキシャル薄膜の合成と物性評価
〇藤原 聡士1, 廣瀬 靖1, 原山 勲2, 綿引 悠美2, 関場 大一郎2, 長谷川 哲也1
1.東大院理, 2.UTTAC
[7a-C23-10]ペロブスカイト酸窒化物MnTaO2NのMn間磁性結合におけるNアニオンの寄与に関する理論計算
〇毛 司辰1, 倉内 裕史1, 神坂 英幸1, 長谷川 哲也1
1.東大院理
[7p-A202-9]【注目講演】LaOエピタキシャル薄膜の超伝導
〇(DC)神永 健一1, 2, 岡 大地2, 福村 知昭2, 3, 4, 長谷川 哲也1
1.東大院理, 2.東北大院理, 3.東北大WPI-AIMR, 4.東北大スピントロニクス教育センター
[6p-A501-21]高透過性透明導電膜を用いた量子ドット太陽電池の短波長赤外領域の光電変換特性
王 海濱1, 中尾 祥一郎3, 〇久保 貴哉1, 斎藤 英純4, 馬飼野 信一4, 高木 克彦4, 長谷川 哲也3, 中崎 城太郎1, 瀬川 浩司2, 1
1.東大先端研, 2.東大総合文化, 3.東大理, 4.神奈川県産総技研

The 15th international conference on advanced materials (IUMRS-ICAM 2017) (Kyoto university, Japan, Aug. 27th-Sep.1)

[Invited] Inorganic materials with various functionality
○Y. Hirose

Swedish-Japanese Workshop on Nano-Structure Science by Novel Light Sources (Lund university, Sweden, Oct 2-3)

[Invited] Recent Progress in Transition Metal Oxynitride Semiconductor Thin Films
○Y. Hirose, A. Suzuki, T. Yamazaki, K. Shigematsu, Y. Zhu, S. Fujiwara, S. Nakao, and T. Hasegawa
[Invited] Electrical Transport Properties of Transition Metal Oxynitrides with Partially Filled d-orbitals
○Y. Hirose, J. Takahashi, M. Sano, S. Fujiwara, S. Nakao, and T. Hasegawa
[Poster] Fabrication of Textured Ta:SnO2 Transparent Conductive Films Using Self-Assembled SnO2 Nanoparticles
○M. Fukumoto, S. Nakao, Y. Hirose, T. Hasegawa
High Mobility Approaching the Intrinsic Limit in Ta-doped SnO2 Films Epitaxially Grown on TiO2 (001) Substrates
M. Fukumoto, ○S. Nakao, K. Shigematsu, D. Ogawa, K. Morikawa, Y. Hirose, T. Hasegawa

10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-10) (Waseda university, Japan, Jul. 3rd-5th)

[Invited] Growth of Electronic Functional Oxynitride Thin Films by Pulsed Laser Deposition
○T. Hasegawa
[Poster] Effects of Growth Orientation on Hall mobility in Ta:SnO2 Epitaxial Thin Films
○M. Fukumoto, S. Nakao, K. Shigematsu, D. Ogawa, K. Morikawa, Y. Hirose, T. Hasegawa

12th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology (PACRIM 12) (Waikoloa, Hawaii, USA, May 21-26)

High mobility amorphous Zn-O-N thin films fabricated by pulsed laser deposition
○T. Hasegawa, T. Yamazaki, K. Shigematsu, S. Nakao, I. Harayama, D. Sekiba, Y. Hirose

第8回低温センター研究交流会(東京大学、2月)

[P-19(ポスター)]パルスレーザー堆積法により作製したEuNbO3薄膜の物性評価
○丸山敬裕, 近松彰, 小野塚智也, 山田佳補, 長谷川哲也

第2回 材料設計討論会 (東京工業大学すずかけ台キャンパス, 3月7日)

【招待講演】薄膜合成を利用した遷移金属酸窒化物の機能探索
○廣瀬 靖

The 18th International Symposium on Eco-materials Processing and Design

[S2-7 (Oral)] Topotactic synthesis of strontium vanadium oxyhydride epitaxial thin films
○A. Chikamatsu, T. Katayama, K. Yamada, K. Shigematsu, T. Onozuka, M. Minohara, H. Kumigashira, E. Ikenaga, and T. Hasegawa

第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜、3月)

[14a-213-1] Pulsed laser deposition and characterization of NbON epitaxial thin films
〇Vitchaphol Motaneeyachart1, Yasushi Hirose1, 2, Atsushi Suzuki1, Shoichiro Nakao2, Tetsuya Hasegawa1, 2
1.Univ. of Tokyo, 2.KAST
[14a-419-9] Li3xLa2/3‐xTiO3 中の Li イオン伝導に対する格子歪みの効果: 分子動力学シミュレーション
○川原 皐紀1, 神坂 英幸1, 2, 長谷川 哲也1, 2
1. 東大院理, 2. JST-CREST
[14p-213-5] ポリフッ化ビニリデンを用いたSrCeO3薄膜の還元的フッ素化反応
〇椎名 孝明1, 近松 彰1, 簑原 誠人2, 組頭 広志2, 長谷川 哲也1, 3
1.東大院理, 2.KEK-PF, 3.KAST
[14p-213-6] 層状ルテニウム酸フッ化物Sr2RuO3F2の第一原理計算
〇倉内 裕史1, 神坂 英幸1, 近松 彰1, 長谷川 哲也1, 2
1.東大院理, 2.KAST
[14p-419-7] トポタクティックフッ素導入/酸素アニールによるNdNiO3薄膜の可逆的抵抗制御
〇小野塚 智也1, 近松 彰1, 片山 司1, 廣瀬 靖1, 2, 原山 勲3, 関場 大一郎3, 池永 英司4, 簑原 誠人5, 組頭 広志5, 長谷川 哲也1, 2
1.東大院理, 2.KAST, 3.UTTAC, 4.JASRI, 5.KEK-PF
[15p-P3-1] SrTiO3, KTaO3基板上に作製したEuNbO3薄膜の巨大な正の磁気抵抗
〇丸山 敬裕1, 近松 彰1, 小野塚 智也1, 山田 佳補1, 長谷川 哲也1, 2
1.東大院理, 2.KAST
[16p-P8-9] PVD法による高ヘイズSnO2透明導電膜の作製
〇福本 通孝1, 中尾 祥一郎2, 廣瀬 靖1, 2, 長谷川 哲也1, 2
1.東大院理, 2.KAST
[16a-303-11] アナターゼ型TiO2単結晶 (001), (102)面に吸着したCdSe量子ドットの光吸収評価
〇豊田 太郎1, 5, 廣中 基記1, 廣瀬 靖2, 5, 小林 久芳3, 早瀬 修二4, 5, 沈 青1, 5
1.電通大情報理工, 2.東大理, 3.京都工繊大工芸科学, 4.九工大生命体工, 5.JST-CREST