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2016年学会発表

第10回物性科学領域横断研究会(神戸大学 12月)

[7(ポスター)]新規層状ペロブスカイト型酸フッ化物Sr2RuO3F2薄膜のトポタクティック合成
○近松彰, 河原佳祐, 片山司, 小野塚智也, 小川大輔, 森河和雄, 原山勲, 関場大一郎, 池永英司, 廣瀬靖, 福村知昭, 長谷川哲也

International Conference on Solid State Devices and Materials, (Tsukuba, Japan, Sept.)

[PS-9-09] DFT-based ab initio MD Simulation of the Ionic Conduction in N/F-Doped ZrO2 under Epitaxial Strain
◯Mayuko Oka1, Hideyuki KamisakaM1, Tomoteru Fukumura2, Tetsuya Hasegawa1,3
1.Univ. of Tokyo(Japan), 2.Tohoku Univ.(Japan), 3.KAST(Japan)

E-MRS 2016 Fall Meeting (Warsaw, Poland, Sept.)

[L.3.3 Invited] First-principle Computational Approach to Ionic Conduction in Transition Metal Oxide: Effect of strain, defects, and dopants in ZrO2 system
M. Oka, ○H. Kamisaka, T. Fukumura, T. Hasegawa

第10回分子科学討論会2016神戸 (神戸ショッピングマート 9月)

[1C04] LaOFにおけるイオン伝導機構の第一原理計算
○岡 真悠子1, 神坂 英幸1, 福村 知昭2, 長谷川 哲也1,3
東大院・理1, 東北大院・理2, KAST3
[1D17] TiO2(110)表面のsub-surface Tiサイトにおける余剰電子の強い局在化
○神坂 英幸1, 清水 亮太2, 岩谷 克也3, 大澤 健男4, 白木 将5, 長谷川 哲也1, 一杉 太郎2
東大院・理1, 東工大・物質理工2, 理研CEMS3, 物材機構・機能性材料4, 東北大AIMR5

第77回応用物理学会秋季学術講演会 (朱鷺メッセ 9月)

[13a-D62-11] ルチル型ReO2エピタキシャル薄膜の合成及び特性評価
〇柴田 峻佑1、廣瀬 靖1,2、重松 圭2、中尾 祥一郎2、近松 彰1、池永 英司3、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST、3.SPring-8
[13p-P7-8] 水素化カルシウムを用いたSrRu0.5Cr0.5O3薄膜の還元反応
〇山田 佳補1、近松 彰1、重松 圭2、簑原 誠人3、組頭 広志3、池永 英司4、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST、3.KEK-IMSS、4.JASRI/SPring-8
[14a-A31-8] パルスレーザー堆積法によるEuNbO3薄膜の合成と物性評価
〇丸山 敬裕1、近松 彰1、小野塚 智也1、山田 佳補1、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST
[14p-A37-4] 固相エピタキシー法によるペロブスカイト酸窒化物LaMnOxNyの合成
〇(M2)柏 尚輝1、楊 長1,2、廣瀬 靖1,2、重松 圭2、中尾 祥一郎2、原山 勲3、関場 大一郎3、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST、3.UTTAC
[14p-A37-10] スピネル型Mg, Ti酸窒化物エピタキシャル薄膜の合成と物性評価
〇藤原 聡士1、高橋 純平1、廣瀬 靖1,2、重松 圭2、中尾 祥一郎2、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST
[14p-A37-13] トポタクティックフッ素化反応を用いた鉄酸フッ化物/ルテニウム酸化物へテロ構造の作製
〇鈴木 雄介1、近松 彰1、小野塚 智也1、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST
[15a-A22-8] Ta:SnO2エピタキシャル薄膜の輸送特性
〇福本 通孝1、中尾 祥一郎2、重松 圭2、小川 大輔3、森河 和雄3、廣瀬 靖1,2、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST、3.都産技研
[13a-D62-10] 新規層状ペロブスカイト型酸フッ化物Sr2RuO4-xF2x薄膜の電子状態
〇近松 彰1、河原 佳祐1、小野塚 智也1、簔原 誠人2、組頭 広志2、池永 英司3、長谷川 哲也1,4
1.東大院理、2.KEK-PF、3.JASRI/SPring-8、4.KAST
[15p-P3-6] Aサイト秩序型ペロブスカイト構造YBaCo2O6薄膜の合成と巨大磁気異方性、及びスピン状態遷移の観測
〇片山 司1、近松 彰2、廣瀬 靖2,3、蓑原 誠人4、組頭 広志4、原山 勲5、関場 大一郎5、長谷川 哲也2,3
1.東大院理、2.KAST、3.SPring-8
[15p-P3-30] 固相成長法で作製したNbO2多結晶薄膜の電気・光学特性
〇中尾 祥一郎1、神坂 英幸2、廣瀬 靖1,2、長谷川 哲也1,2
1.神奈川科学技術アカデミー、2.東大理
[16p-A22-6] アモルファス半導体ZnON薄膜へのカチオン添加効果
〇重松 圭1、山﨑 崇範2、中尾 祥一郎1、廣瀬 靖1,2、長谷川 哲也1,2
1.KAST、2.東大院理

The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor (Toyama, Japan, June)

[MoP-ISCS-100] Electrical and Optical Properties of Polycrystalline NbO2 Thin Films Grown by Solid Phase Crystallization
Shoichiro Nakao,1 Hideyuki Kamisaka,2 Yasushi Hirose,1,2 and Tetsuya Hasegawa1,2
1Kanagawa Agency of Science and Technology , 2The University of Tokyo
[MoP-ISCS-108] Microstructural Analysis of Nb-doped Anatase TiO2 Transparent Conductive Films by Transmission Electron Microscopy
Daisuke Ogawa,1 Shoichiro Nakao,2 Kazuo Morikawa,1 Yasushi Hirose,2,3 and Tetsuya Hasegawa2,3
1Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, 2Kanagawa Agency of Science and Technology, 3The University of Tokyo

EMN Fuel Cell Meeting 2016 (Jeju Island, Korea, May)

[A11, Invited] DFT-based ab initio MD Simulation of the Ionic Conduction in Doped ZrO2 Systems under Epitaxial Strain
M. Oka1, ○H. KAMISAKA1, T. Fukumura2, T. Hasegawa1,3
The University of Tokyo1, Tohoku University2, KAST3

E-MRS 2016 Spring meeting (Lille, France, May)

[N.5.1, Invited] Towards Indium-free oxide semiconductors: TiO2-based transparent conductors and mixed anion amorphous semiconductors
○Y.Hirose, S.Nakao, T.Hasegawa
Univ. of Tokyo, KAST
[N.5.2] Fabrication of Nb-doped anatase TiO2 transparent conductive thin films by two-step annealing with widened process window
○S.Nakao, Y.Hirose, T.Hasegawa
KAST, Univ. of Tokyo

日本表面科学会第1回関東支部講演大会 (東京大学 4月)

[P026] 新機能を持った透明導電膜の開発:酸化スズと酸化チタン
○中尾祥一郎1,廣瀬靖1,2,長谷川哲也1,2
KAST1,東大院理2
[P028S] 高移動度SnO2エピタキシャル薄膜の合成
○福本通孝1, 中尾祥一郎2, 重松圭2, 廣瀬靖1,2, 長谷川哲也1,2
東大院・理1, KAST2

第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大大岡山キャンパス 3月)

[21p-H103-13] Ce2O2Biエピタキシャル薄膜における金属絶縁体転移
〇柴田 峻佑1、清 良輔1,2、福村 知昭2、長谷川 哲也1
1.東大院理、2.東北大院理
[22a-P4-6] ルチル型二酸化ルテニウム薄膜における電気輸送特性の膜厚依存性
〇沓澤 大1,2、岡 大地2、福村 知昭2、長谷川 哲也1,3
1.東大院理、2.東北大院理、3.KAST
[20p-W833-17] Bi2-正方格子を持つ新規層状酸化物超伝導体Y2O2Bi
〇(DC)清 良輔1,2、気谷 卓3、福村 知昭2、川路 均3、長谷川 哲也1
1.東大院理、2.東北大院理、3.東工大応セラ研
[19a-H111-8] ペロブスカイト型SrNbO2Nエピタキシャル薄膜の巨大正磁気抵抗
〇岡 大地1、廣瀬 靖2,3、中尾 祥一郎3、福村 知昭1、長谷川 哲也2,3
1.東北大院理、2.東大院理、3.KAST
[19a-H111-9] ドメイン構造と酸素量の変調によるLaCuOx薄膜の輸送特性制御
〇(D)小野塚 智也1、近松 彰1、廣瀬 靖1,2、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST
[21a-H103-10] ソフト化学的Li挿入によるアナターゼ型TaONへのキャリアドープ
〇鈴木 温1,2、廣瀬 靖1,2、中尾 祥一郎2、中川 貴文1、岡田 洋史1、松尾 豊1、長谷川 哲也1,2
1.東大院理、2.KAST
[19a-H111-4] YOエピタキシャル薄膜の電気輸送特性と光学特性
〇(D)神永 健一1,2、清 良輔1,2、林 好一3、八方 直久4、田尻 寛男5、岡 大地2、福村 知昭2、長谷川 哲也1
1.東大院理、2.東北大院理、3.名工大工、4.広市大院、5.JASRI
[20p-H111-6] トポタクティック反応を用いた複合アニオン酸化物エピタキシー
〇近松 彰1
1.東大院理
[20p-S222-15] 耐熱性TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の高効率化
遠藤 剛志1、小野 理恵子1、岩城 諒1、竹村 秀一郎1、〇奥谷 昌之1,2、中尾 祥一郎3、岡崎 壮平3、坂井 延寿3、山田 直臣3、一杉 太郎4、長谷川 哲也5
1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研、3.神奈川技術アカデミー、4.東北大WPI-AIMR、5.東大院理