Hasegawa Group Hasegawa Group
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2015年学会発表

Pacifichem 2015 (Hawaii, Decembor)

Strong carrier localization in LaVO3-yNy perovskite-type oxynitride epitaxial thin films grown by nitrogen-plasma-assisted pulsed laser deposition
Masahito Sano1, Yasushi Hirose1,2, Shoichiro Nakao2, Tomoteru Fukumura1,2, Tetsuya Hasegawa1,2
1Chemistry, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan; 2JST-CREST, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan
Topotactic fluorination of perovskite-type strontium ruthenate thin films using polyvinylidene fluoride
Keisuke Kawahara1, Akira Chikamatsu1,2, Tsukasa Katayama1, Tomoya Onozuka1, Tomoteru Fukumura1,2, Tetsuya Hasegawa1,2
1Department of chemistry, The university of Tokyo, Tokyo, Japan; 2CREST, Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo, Japan
Structural chemistry and physical properties of fluorine-substituted perovskite nickelate NdNiO3−xFx thin films
Tomoya Onozuka1, Akira Chikamatsu1,2, Tsukasa Katayama1, Tomoteru Fukumura1,2, Tetsuya Hasegawa1,2
1Department of Chemistry, The University of Tokyo, Tokyo, Japan; 2CREST, Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo, Japan
Structural, electrical, and magnetic phase transitions in AX-type mixed valence cobalt oxynitrides epitaxial thin films
Yasushi Hirose1,2, Jumpei Takahashi1, Daichi Oka1, Shoichiro Nakao3,2, Chang Yang1,2, Tomoteru Fukumura1,2, Tetsuya Hasegawa1,2
1Department of Chemistry, The University of Tokyo, Tokyo, Japan; 2CREST, JST, Tokyo, Japan; 3Kanagawa Academy of Science and Technology, Kawasaki, Japan
Large perpendicular magnetic anisotropy in noble metal-free manganese nitride epitaxial thin film
Akira Chikamatsu1,2, Xi Shen1, Kei Shigematsu1, Yasushi Hirose1,2, Tomoteru Fukumura1,2, Tetsuya Hasegawa1,2
1Department of Chemistry, The University of Tokyo, Tokyo, Japan; 2CREST, Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo, Japan
Widened process window in fabrication of Nb-doped anatase TiO2 transparent conductive thin films by two-step annealing
Shoichiro Nakao1,2, Yasushi Hirose1,3, Tetsuya Hasegawa1,3
1Kanagawa Academy of Science and Technology, Kawasaki, Japan; 2JST-CREST, Kawasaki, Japan; 3The university of Tokyo, Tokyo, Japan
Dielectric properties of molecularly-thin titania nanosheets
Daisuke Ogawa1, Yoonhyun Kim1, Kosho Akatsuka1, Minoru Osada1, Tomoteru Fukumura2,3, Tetsuya Hasegawa2,3, Takayoshi Sasaki1
1International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute of Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan; 2Graduate School of Science, The University of Tokyo, Tokyo, Tokyo, Japan; 3Kanagawa Academy of Science and Technology, Kawasaki, Kanagawa, Japan
Reduction of TiO2 / TCO interface resistance for dye-sensitized solar cell with TNO transparent conductive film
Takeshi Endo1, Masayuki Okuya1,2, Ryo Iwaki1, Shuichiro Takemura1, Shoichiro Nakao3, Sohei Okazaki3, Enju Sakai3, Naoomi Yamada3, Taro Hitosugi4, Tetsuya Hasegawa5
1Electronics and Materials Science Course, Department of Engineering, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan; 2Research Institute of Green Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan; 3Kanagawa Academy of Science and Technology, Yokohama, Japan; 4 Tohoku University, Sendai, Japan; 5 University of Tokyo, Tokyo, Japan

日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム(富山大学 9月)

2F06 GaN-ZnO 混晶エピタキシャル薄膜の低温合成と光学特性評価
○廣瀬靖、楊張、柏尚輝、長谷川哲也
東京大学、神奈川科学技術アカデミー、JST-CREST
3F07 複合アニオン化合物エピタキシャル薄膜の合成と物性開拓
○長谷川哲也 (基調講演)
東京大学、神奈川科学技術アカデミー、JST-CREST

第76回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場 9月)

[14p-2H-8] 水素ドープSrFeO2における、ドープサイトと金属伝導性の関係についての第一原理計算
〇倉内 裕史1、神坂 英幸1, 2、片山 司1、近松 彰1, 2、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2JST-CREST, 3KAST
[14p-2H-15] 秩序相SrRu0.5Cr0.5O3エピタキシャル薄膜の作製および電子状態 評価
〇山田 佳補1、近松 彰1, 2、重松 圭2, 3、簑原 誠人4、組頭 広志4、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2JST-CREST, 3KAST, 4KEK-IMSS
[14p-PA13-2] 低温トポタクティック合成で作製したNdNi(O,F)3薄膜の構造と物性
〇小野塚 智也1、近松 彰1, 2、片山 司1、福村 知昭2, 3、長谷川 哲也1, 2, 4
1東大院理, 2JST-CREST, 3東北大院理, 4KAST
[13p-2Q-10] トポタクティック合成法によるカチオン規則配列した蛍石構造Ba0.5Bi0.5F2.5薄膜の作製
〇河原 佳祐1、近松 彰1, 2、片山 司1、小野塚 智也1、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2JST-CREST, 3KAST
[14p-PA10-6] TiO2多結晶シード層導入によるアナターゼ型TaON薄膜のガラス基板上成長
〇鈴木 温1, 2, 3、廣瀬 靖1, 2, 3、中尾 祥一郎2, 3、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2KAST, 3JST-CREST
[14a-PA2-4] ペロブスカイト酸窒化物ATaO2N(A = Ba, Sr, Ca)の誘電特性に関する 第一原理計算による理論的考察
〇橋本 直明1、神坂 英幸1, 2、廣瀬 靖1, 2, 3、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2JST-CREST, 3KAST
[13p-PB9-21] BiとSnを含む有機無機ペロブスカイト化合物の光学特性
〇寒竹 亮太1、近松 彰1, 2、長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理, 2JST-CREST, 3KAST
[13p-2H-3] TiO2(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化
〇清水 亮太1、神坂 英幸2、岩谷 克也3、大澤 健男4、白木 将1、長谷川 哲也2、一杉 太郎1
1東北大AIMR, 2東大院理, 3理研, 4物材機構
[14p-PA13-5] Sr2MgMoO6−δ / KTaO3 (100)における金属的電気伝導
〇重松 圭1, 2、中尾 祥一郎1, 2、近松 彰2, 3、廣瀬 靖1, 2, 3、長谷川 哲也1, 2, 3
1KAST, 2JST-CREST, 3東大院理
[14p-PA13-17] 透過電子顕微鏡によるNbドープTiO2透明導電膜の膜内構造観察
〇小川 大輔1、中尾 祥一郎2, 3、森河 和雄1、廣瀬 靖2, 3, 4、長谷川 哲也2, 3, 4
1都産技研, 2KAST, 3CREST, 4東大院理
[13p-PB6-13] 大気アニールによるスパッタNb:TiO2透明導電膜の作製
〇中尾 祥一郎1, 2、廣瀬 靖1, 2, 3、長谷川 哲也1, 2, 3
1KAST, 2CREST, 3東大院理
[16a-1B-8] アナターゼ型Ti1-xNbxO2の電気伝導の方 位依存性
〇(M2)山口 裕生1、中尾 祥一郎2, 3、井野 龍一朗1、河村 益徳1、長谷川 哲也2, 3、山田 直臣1
1中部大院工, 2KAST, 3東大理
[16a-1B-11] TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の作用電極界面の最適化
遠藤 剛志1、小野 理恵子1、〇奥谷 昌之1, 2、岩城 諒1、竹村 秀一郎1、中尾 祥一郎3、岡崎 壮平3、坂井 延寿3、山田 直臣3、一杉 太郎4、長谷川 哲也5
1静岡大院工, 2静岡大グリーン研, 3神奈川技術アカデミー, 4東北大WPI-AIMR, 5東大院理

EMN Qingdao Meeting (Qingdao, China, June)

D14[invited] Optical Properties of (GaN)1-x(ZnO)x thin films in the full compositional range synthesized by low temperature epitaxial growth
○Yasushi Hirose
University of Tokyo
D15[invited] SnO2 and TiO2 transparent conductive thin films for solar cell application
○Shoichiro Nakao
KAST

第18回理論化学討論会(大阪 5月)

エピタキシャル歪み下におけるZrO2系薄膜の構造変化とイオン伝導性に関する第一原理計算
岡真悠子,○神坂英幸,福村知昭,長谷川哲也
東大院理、東北大院理

E-MRS 2015 Spring meeting (Lille, France, May)

Novel approach for controlling optical properties of anatase TiO2: Solid-solution with anatase TaON
○A.Suzuki, Y.Hirose, S.Nakao, T.Fukumura, T.Hasegawa
Univ. of Tokyo, KAST, JST-CREST
High Ionic Conductivity and Its Control via Epitaxial Strain in Li0.33La0.56TiO3 Thin Films
○Jie Wei, Daisuke Ogawa, Tomoteru Fukumura, Yasushi Hirose, Tetsuya Hasegawa
The University of Tokyo, CREST, Japan Science and Technology Agency (JST)

MRS Spring Meeting, San Francisco, California

Reductive Slid Phase Epitaxy of Layered Y2O2Bi Thin Film with Bi2- Square Net and its Electronic Transport Properties
○Ryosuke Sei1,2, Tomoteru Fukumura2,3, Tetsuya Hasegawa1,3
1The University of Tokyo, 2Tohoku University, 3JST-CREST

第62回応用物理学会春季学術講演会 (東海大学 湘南キャンパス 3月)

[11p-D10-4] トポタクティック酸化・還元法によるAサイト秩序型ペロブスカイト YBaCo2Ox (x = 4.5−6)エピタキシャル薄膜の作製
○(DC)片山 司1 近松 彰1, 2 福村 知昭1, 2 長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理、2JST-CREST、3KAST
[11p-D10-13] SrRu0.5Cr0.5O3エピタキシャル薄膜の作製及び物性評価
○山田 佳補1 近松 彰1, 2 重松 圭1 福村 知昭1, 2 長谷川 哲也1, 2, 3
1東大理、2JST-CREST、3KAST
[13a-D10-10] LaVOxNyエピタキシャル薄膜の電気輸送特性及び光学特性
○佐野 真仁1, 3 廣瀬 靖1, 2, 3 中尾 祥一郎2, 3 福村 知昭1, 2, 3 長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理、2JST-CREST、3KAST
[12a-D8-6] PLD法を用いたサマリウム単酸化物薄膜の作製
○内田 悠1 神永 健一1 福村 知昭1, 2 長谷川 哲也1, 2
1東大理化、2JST-CREST
[11a-D2-6] ペロブスカイト酸化物の極性に依存するフタロシアニン極薄層の形成
○小島 峻吾1 福村 知昭1, 2 神坂 英幸1, 2 長谷川 哲也1, 2
1東大院理、2JST-CREST
[14a-D2-6] The dependence on carrier density, Co content, and thickness of magnetic domain structure in anatase (Ti,Co)O2 thin films
○Thantip Krasienapibal1, Tomoteru Fukumura1,2,3, Tetsuya Hasegawa1,2,3
1University of Tokyo、2JST-CREST、3KAST
[11a-D1-2] 2段階アニールによるNb:TiO2透明導電膜作製プロセスウィンドウの拡大
○中尾 祥一郎1, 2 廣瀬 靖1, 2, 3 長谷川 哲也1, 2, 3
1KAST、2CREST、3東大理
[12p-D9-6] TiO2系透明導電体の新進展
○長谷川 哲也1, 2, 3
1東大院理、2KAST、3JST-CREST
[13p-B2-3] STMと固体物性との出会い~北澤先生の夢へと続く道
○長谷川 哲也1
1東大院理