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2014年学会発表

第24回 日本MRS年次大会・第一回MRS-J/E-MRS ジョイントシンポジウム (横浜市開港記念会館 他、12月)

[XA-P11-002] 混晶アナターゼ型(TiO2)x(TaON)1-xによる光学特性制御 / Tunable optical properties in solid-solution of anatase(TiO2)x(TaON)1-x
○鈴木温1,2,3、廣瀬靖1,2,3、岡大地1,2,3、中尾祥一郎2,3、福村知昭1,2,3、長谷川哲也1,2,3
東京大学大学院理学系研究科1、神奈川科学技術アカデミー2、科学技術振興機構(CREST)3
[XA-P11-003] 高移動度非晶質ZnOxNy薄膜の合成 / Fabrication of High Mobility Amorphous ZnOxNy Thin Films
○山崎崇範1、廣瀬靖1,2,3、中尾祥一郎2,3、原山勲4、関場大一郎4、長谷川哲也1,2,3
東京大学1、KAST2、JST-CREST3、筑波大学4
[XA-I10-005] エレクトロニクス応用に向けた遷移金属酸窒化物薄膜材料の開発 / Transition Metal Oxynitrides for Electronic Applications
○廣瀬靖1,2,3
東京大学1、(公財)神奈川科学技術アカデミー2、CREST, JST3

第75回応用物理学会秋季学術講演会(北海道大学札幌キャンパス、9月)

[17a-A10-4] Impedance Study of Eptaixial Li3xLa2/3-xTiO3 Thin Films on Perovskite Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition
○(D)Jie Wei1,福村知昭1,2,廣瀬靖1,2,3,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,JST-CREST2,KAST3
[17p-A10-3] ペロブスカイト構造を有するコバルト系ヒドリド酸化物薄膜の作製
○片山司1,近松彰1,2,神坂英幸1,2,廣瀬靖1,2,3,福村知昭1,2,長谷川哲也1,2,3
東大院1,JST-CREST2,KAST3
[17p-A10-4] Bi2−正方格子を持つ層状酸化物Y2O2Biエピタキシャル薄膜の物性
○清良輔1,福村知昭1,2,長谷川哲也1,2
東大院理1,JST-CREST2
[18a-A11-4] エピタキシャル歪みによるペロブスカイト型酸窒化物SrTaO2Nのアニオン配列制御
○岡大地1,廣瀬靖1,2,3,神坂英幸1,3,福村知昭1,2,3,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,KAST2,JST-CREST3
[18a-A11-7] Srn+1RunO3n+1 薄膜へのポリフッ化ビニリデンによるトポタクティックフッ素ドープ
○河原佳祐1,近松彰1,2,片山司1,小野塚智也1,福村知昭1,2,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,JST-CREST2,KAST3
[18p-A11-11] 水素ドープに伴うNdNiO3薄膜の構造変化
○小野塚智也1,近松彰1,2,片山司1,福村知昭1,2,3,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,JST-CREST2,KAST3
[19a-PB2-9] 単一Ti0.87O20.52−ナノシートの絶縁・誘電特性
○(PC)小川大輔1,2,3,赤塚公章1,3,福村知昭2,3,長田実1,3,佐々木高義1,3,長谷川哲也2,3,4
物材機構1,東大2,JST-CREST3,KAST4
[17p-PA5-18] Ta:SnO2透明導電膜における低基板温度でのシード層の有効性
○中尾祥一郎1,2,山田直臣3,廣瀬靖1,2,4,長谷川哲也1,2,4
KAST1,CREST2,中部大3,東大理4
[18a-A12-7] 移動度200 cm2V-1s-1を超える非晶質ZnOxNy薄膜の合成
○山崎崇範1,廣瀬靖1,2,3,中尾祥一郎2,3,原山勲4,関場大一郎4,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,KAST2,JST-CREST3,UTTAC4

第8回分子科学討論会2014東広島(広島大学東広島キャンパス、9月)

[1P057] 第一原理計算による水素ドープSrFeO2の金属伝導性の起源の解明
○倉内裕史1、神坂英幸1,2、片山司1、近松彰1,2、長谷川哲也1,2,3
東大院理1、JST-CREST2、KAST3
[4D11] エピタキシャル歪み下におけるZrO2系薄膜の構造変化とイオン伝導性に関する第一原理計算
)○岡真悠子1、神坂英幸1,2、福村知昭1,2、長谷川哲也1,2,3
東大院・理1、JST-CREST2、神奈川科学技術アカデミー3

E-MRS Fall meeting 2014, Warsaw, Sept.

[Invited] First principle calculation of carrier activation ration in Nb-doped and F-doped TiO2 systems
Hideyuki Kamisaka1, Koichi Yamashita2, Tetsuya Hasegawa1
1Department of Chemistry, University of Tokyo, 2Department of Chemical System Engineering, University of Tokyo

日本ゾル- ゲル学会 第12回討論会(つくば国際会議場、8月)

単一Ti0.87O20.52−ナノシートの絶縁・誘電特性
○(PC)小川大輔1,2,3,赤塚公章1,3,福村知昭2,3,長田実1,3,佐々木高義1,3,長谷川哲也2,3,4
物材機構1,東大2,JST-CREST3,KAST4

CECAM - Workshop "Nanostructured Zinc Oxide and related materials", Bremen Germany

Epitaxial growth of transition metal oxynitride thin films for electrical applications
Yasushi Hirose, University of Tokyo, Japan
DFT-based first-principle calculation of the carrier activation ratio in doped semiconductors
○Hideyuki Kamisaka, Koichi Yamashita, Tetsuya Hasegawa
University of Tokyo, Japan

CIMTEC 2014, Montecatini Italy

Room Temperature Ferromagnetic Oxide Semiconductor
Tomoteru Fukumura, Department of Chemistry, University of Tokyo, Tokyo, Japan

EMN summer meeting, Cancun Mexico

Electrical and optical properties of transition metal oxynitride epitaxial thin films
Yasushi Hirose, University of Tokyo, Japan

Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014, Incheon South Korea

Topotactic reaction of iron oxide thin films
Akira Chikamatsu, University of Tokyo, Japan

E-MRS 2014 SPRING MEETING, Lille France

Topotactic Fluorination of SrFeO2.5 and SrCoO2.5 Thin Films by Using Polyvinylidene Fluoride
○Tsukasa Katayama 1, Akira Chikamatsu 1,2, Yasushi Hirose 1,2,3, Tomoteru Fukumura 1,2 and Tetsuya Hasegawa 1,2,3
1Department of Chemistry, University of Tokyo2 JST-CREST3 Kanagawa Academy of Science and Technology (KAST)

第61回応用物理学会春季学術講演会(青山学院大学相模原キャンパス、3月)

[17p-PG2-11] PVDFを用いたSrCoO2.5薄膜のトポタクティックフッ素化反応
片山司1,近松彰1,2,廣瀬靖1,2,3,福村知昭1,2,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,JST-CREST2,KAST3
[17p-PG3-13] パルスレーザー蒸着法を用いたSnOxNy薄膜の合成と物性評価
山崎崇範1,廣瀬靖1,2,3,中尾祥一郎2,3,原山勲4,関場大一郎4,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,KAST2,JST-CREST3,UTTAC4
[17p-PG3-18] 非晶質SnO2薄膜の電気伝導:Ta置換量依存性
中尾祥一郎1,2,廣瀬靖1,2,3,福村知昭1,2,3,長谷川哲也1,2,3
KAST1,CREST2,東大理3
[18a-D9-6] Toward transparent flexible spintronics using RT ferromagnetic semiconductor(30min.)
Tomoteru Fukumura1
Univ. Tokyo1
[18a-E7-5] Improved magnetization in (Ti,Co)O2 with non-magnetic capping layer
○(D)Thantip S Krasienapibal1,福村知昭1,2,3,長谷川哲也1,2,3
東大1,JST-CREST2,KAST3
[18p-E8-13] Nb系ペロブスカイト型酸窒化物薄膜の電気輸送特性
岡大地1,廣瀬靖1,2,3,中尾祥一郎1,2,3,福村知昭1,2,3,長谷川哲也1,2,3
東大院理1,KAST2,JST-CREST3
[19p-D6-6] 還元条件下で作製したイットリウム酸化物エピタキシャル薄膜
神永健一1,清良輔1,福村知昭1,2,長谷川哲也1,2
東大理化1,JST-CREST2