Hasegawa Group Hasegawa Group
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2007年学会発表

  • ISCS2007を追加 (2010-05-10)
  • TOEO-5を追加 (2010-03-19)
  • 物理学会(秋・春)を追加 (2010-01-13)
  • 応用物理学会のみアップデート (2010-01-05)

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), Kyoto University, Oct 15-18, 2007, 1件

講演番号 講演題目/著者/所属
MoC P39 Ferromagnetic Rutile CoxTi1-xO2-δ Heteroepitaxy on Wurtzite GaN and ZnO
Yasushi Hirose, Taro Hitosugi, Junpei Kasai, Yutaka Furubayashi, Kiyomi Nakajima, Toyohiro Chikyow, Seiji Konuma, Toshihiro Shimada, and Tetsuya Hasegawa

日本物理学会 第62回年次大会 (北海道大学, 9月), 4件

講演番号 タイトル 著者 所属 領域
21aRB-4 薄膜相ペンタセンのHOMOバンド分散測定 大伴真名歩,鈴木維允,島田敏宏,長谷川哲也 東大院理 領域7
21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価 池田進A,和田恭雄B,島田敏宏C,斉木幸一朗A,C 東大院新領域A,東洋大院学際融合B,東大院理C 領域7
22aXJ-4 ステップバンチング表面上にエピタキシャル成長したペンタセン単分子膜の構造と電子状態 島田敏宏,大伴真名歩,長谷川哲也 東大理 領域9
22pWF-2 アナターゼ型NbドープTiO2の非金属-金属転移 一杉太郎A,B,神坂英之C,山下晃一C,古林寛B,能川玄之A,島田敏宏A,B,長谷川哲也A,B 東大理A,KASTB,東大工C 領域8

2007年秋季 第68回 応用物理学会学術講演会 (北海道工業大学, 9月), 12件

講演番号 講演題目/著者/所属 分 科
6p-F-1 ボロンドープダイヤモンド薄膜の局所物性評価
科技構戦略1,東大新領域2,徳島大院薬3,東大理4,神奈川科学技術アカデミー5,早大理工6,物材機構7 ○(P)岡崎壮平1,2,立木 昌2,岡崎紀明3,長谷川哲也4,5,入山慎吾6,岡田竜介6,川原田 洋6,鯉沼秀臣1,2,7
6.2
カーボン系薄膜
4p-ZT-1 スパッタ法による様々な基板上へのNb:TiO2(TNO)透明導電膜の作製
東大院理1,KAST2 ホァンゴクランフン1,2,一杉太郎1,2,山田直臣2,笠井淳平2,古林 寛2,島田敏弘1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
4p-ZT-2 2段階スパッタ法による透明導電性NbドープTiO2多結晶薄膜の作製
KAST1,東大院理2 山田直臣1,笠井淳平1,一杉太郎1,2,ホアン ゴクラン フン1,2,中尾祥一郎1,廣瀬 靖1,古林 寛1,島田敏広1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
4p-ZT-3 アナターゼ型TiO2系透明導電体の透明導電メカニズム
東大理1,KAST2,東大工3 一杉太郎1,2,神坂英幸3,山下晃一3,近松 彰3,組頭広志3,尾嶋正治3,能川玄之1,鶴浜哲一1,ホァンゴク ラン フン1,中尾祥一郎2,古林 寛2,笠井淳平2,広瀬 靖2,山田直臣2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
4p-ZT-4 非晶質Nb:TiO2の成膜時酸素分圧とアニール後の電気伝導性の相関
KAST1,東大院理2 中尾祥一郎1,一杉太郎1,2,山田直臣1,古林 寛1,廣瀬 靖1,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
4p-ZT-9 アナターゼ型Ti0.94Nb0.06O2薄膜の酸素アニールによる電子状態変化
東大理1,KAST2,東大工3 能川玄之,一杉太郎,神坂英幸,山下晃一,近松 彰,組頭広志,尾嶋正治,中尾祥一郎,島田敏宏,長谷川哲也,吉松公平3,古林 寛2,廣瀬 靖2
6.3
酸化物エレクトロニクス
4p-ZT-11 ルチル型TiO2の固相エピタキシャル成長
東大院理1,神奈川科学技術アカデミー2 奥本高行1,一杉太郎1,2,中尾祥一郎2,笠井淳平2,山田直臣2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
5a-ZT-5 アナターゼTiO2(102)エピタキシャル薄膜の異方性評価
KAST1,東大院理2 ○(P)廣瀬 靖1,山田直臣1,中尾祥一郎1,一杉太郎1,2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
7p-M-11 有機グラフォエピタキシーにおける薄膜成長の初期過程
東大院新領域1,東洋大院学際・融合2,東大院理3 池田 進1,和田恭雄2,島田敏宏3,斉木幸一朗1,3
10.1
作製技術
7p-M-18 液体膜への蒸着によるルブレンの結晶成長
東大 理 ○(M)石井由威,島田敏宏,長谷川哲也
10.1
作製技術
5p-ZM-1 ハーフメタリック強磁性体材料マグネタイトを用いた有機EL素子
東大院理1,KAST2 ○(M)野口卓也1,島田敏宏1,2,廣瀬 靖2,一杉太郎1,2,長谷川哲也1,2
10.8
有機EL
7a-S-4 強磁性アナターゼ型Fe:TiO2における磁気特性の酸素分圧依存性
東大院理1,KAST2 ○(D)坂井延寿1,一杉太郎1,2,島田敏宏1,2,廣瀬 靖2,長谷川哲也1,2
17.1
合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」

5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-5), Shonan Village Center, Kanagawa, Japan, May 21-22, 2007, 2件

講演番号 講演題目/著者/所属
A157 (21pO04) Transparent conductive Ti1-xNbxO2 polycrystalline films on glass substrates fabricated via crystallization of amorphous phase
Taro Hitosugi, Atsuki Ueda, Shoichiro Nakao, Naoomi Yamada, Yutaka Furubayashi, Yasushi Hirose, Toshihiro Shimada and Tetsuya Hasegawa
Department of Chemistry, University of Tokyo and Kanagawa Academy of Science and Technology (KAST)
A108 (21pP01) Sputter deposition of Nb-doped TiO2 (TNO) polycrystalline films for a transparent conductive oxide
Naoomi Yamada, Taro Hitosugi, Ngoc Lam Huong Hoang, Yutaka Furubayashi, Yasushi Hirose, Toshihiro Shimada and Tetsuya Hasegawa
Kanagawa Academy of Science and Technology (KAST) and Department of Chemistry, University of Tokyo

2007年春季 第54回 応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学相模原キャンパス, 3月), 15件

講演番号 講演題目/著者/所属 分 科
27a-ZA-2 走査型マイクロ波顕微鏡を用いた低温での薄膜導電率の定量評価
東大院理1,徳島大院2,東北大金研3 ○(D)岡崎壮平1,岡崎紀明2,菅谷英生1,西村 潤3,福村知昭3,川崎雅司3,一杉太郎1,島田敏宏1,長谷川哲也1
6.3
酸化物エレクトロニクス
28a-ZA-10 アナターゼ型結晶構造酸化チタンナノファイバーの作製と評価
東大理1,KAST2 ○(D)堀江留美子1,長谷川哲也1,村上武利2,藤嶋 昭2
6.3
酸化物エレクトロニクス
28p-ZA-2 2元スパッタ法による多結晶NbドープTiO2透明導電性薄膜の作製
神奈川科学技術アカデミー1,東大院理2 山田直臣1,一杉太郎1,21,2,笠井淳平1,古林 寛1,廣瀬 靖1,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
28p-ZA-3 透明伝導体アナターゼNb:TiO2の輸送現象(3)
神奈川科学技術アカデミー1,東大院理2,東大院新領域3 古林 寛1,山田直臣1,一杉太郎1,2,広瀬 靖1,山本幸生1,3,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
28p-ZA-4 Nb/M4+イオンを共添加したアナターゼTiO2の光学・輸送特性
神奈川科学技術アカデミー1,東大院理2 古林 寛1,奥本高行2,陳 同来1,山田直臣1,広瀬 靖1,一杉太郎1,2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
28p-ZA-5 アナターゼ型Ti1-xNbxO2(TNO)薄膜の電子状態
東大院理1,KAST2,東大院工3 一杉太郎1,2,神坂英幸3,山下晃一3,山田直臣2,古林 寛2,中尾祥一郎2,能川玄之1,植田敦希1,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2,鶴浜哲一1,ホァンゴク ラン フン1
6.3
酸化物エレクトロニクス
28p-ZA-7 アナターゼTiO2/SrTiO3ヘテロ構造の電子輸送特性
東大・理1,KAST2 畑林邦忠1,一杉太郎1,2,岡崎壮平1,平林英史1,菅谷英生1,古林 寛2,広瀬 靖2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
30a-ZA-7 Ti1-xMxO2(M=Nb,Y)における電界誘起抵抗変化
KAST1,東大院理2 中尾祥一郎1,一杉太郎1,2,廣瀬 靖1,古林 寛1,山田直臣1,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
6.3
酸化物エレクトロニクス
27a-P1-33 抵抗検知方式低温磁気力顕微鏡によるナノ磁区構造観察
東大理1,学振2,SII-NT3,ユニソク4 菅谷英生1,2,白川部喜春3,茅根一夫3,宮武 優4,長村俊彦4,一杉太郎1,島田敏宏1,長谷川哲也1
6.5
表面物理・真空
29p-H-4 アナターゼ型Ti1-xNbxO2の熱電特性
東大院理1,KAST2 ○(B)鶴浜哲一1,一杉太郎1,2,古林 寛2,山田直臣2,島田敏宏1,2,長谷川哲也1,2
8.5
熱電変換
27a-SK-11 ハーフメタリック強磁性体材料を電極に用いた有機EL構造の作製
国際基督教大教養1,東大院理2,KAST3 ○(B)野口卓也1,島田敏宏2,3,廣瀬 靖3,一杉太郎2,3,長谷川哲也2,3
10.2
評価・基礎物性
28a-SK-8 擬似単結晶ペンタセン単分子膜のバンド分散の測定
東大 理1,埼玉大 理2,東大 理3 鈴木維允1,島田敏宏1,上野啓司2,池田 進3,斉木幸一朗1,3,長谷川哲也1
10.2
評価・基礎物性
28p-SK-6 ポリ(3-アルキルチオフェン)薄膜の面内配向制御
埼玉大理1,東北大金研2,東大新領域3,東大院理4 小野木 亮1,吉川元起2,霍間勇輝3,松本 晃1,池田 進3,島田敏宏4,斉木幸一朗3,4,中原弘雄1,上野啓司1
10.2
評価・基礎物性
28a-W-31 トップコンタクト型有機FETのサブバンドギャップ光変調電流特性
東大院理 ○(M)大伴真名歩,島田敏宏,長谷川哲也
10.9
特定テーマA:有機トランジスター
28p-W-3 ナノ周期構造を用いた分子の配向制御
東大院新領域1,東大院理2,埼玉大院理工3,早大ナノテク研4 池田 進1,島田敏宏2,上野啓司3,和田恭雄4,斉木幸一朗1,2
43.1
日本学術振興会第161委員会企画「有機半導体薄膜結晶化の現状:エピタキシャル成長機構と結晶品質」
29p-V-3 界面幾何構造の制御とフレキシブル半導体
東大・理 島田敏宏
63.1
エレクトロニクス有機界面幾何工学

日本物理学会 2007年春季大会 (鹿児島大学, 3月), 4件

講演番号 タイトル 著者 所属 領域
18aTG-8 Nb探針によるSTM観察 清水亮太,一杉太郎,福尾則学A,島田敏宏,長谷川哲也 東大院理,東工大応セラ研A 領域9
19aZA-5 ポンププローブ法によるAlq3分子内エネルギー移動の研究 宮田敦彦,小川直毅A,B,田丸博晴A,B,鈴木維允C,島田敏宏C,長谷川哲也C,斉木幸一朗D,宮野健次郎A,B 東大工,東大先端研A,JST-CRESTB,東大理C,東大新領域D 領域5
21pWF-3 Bi2212の低温・磁場下STM/STS観察 V 福尾則学,一杉太郎A,内田智史B,下山淳一B,岸尾光二B,松本祐司,長谷川哲也A 東工大応セラ研,東大院理A,東大院工B 領域8
21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用 池田進A,和田恭雄B,稲葉克彦C,伊藤義泰C,寺嶋和夫A,島田敏宏D,斉木幸一朗A,D 東大院新領域A,早大ナノテク研B,リガクC,東大院理D 領域7